这些P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。此类器件非常适合便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。

• -6 A，-20 V。 RDS(ON) = 0.030 Ω @ VGS = -4.5 V, RDS(ON) = 0.040 Ω @ VGS = -2.5 V.
• 低栅极电荷（典型值23 nC）
• 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
• 高功率和高电流处理能力。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDS6875	量产-ROHS：截至2015年1月	$0.78

• FSL126HR - 频率为 100 kHz 且具有可调电流限制的 650 V 集成电源开关，用于 17 W 离线反激式转换器
• LM2902 - 四通道运算放大器
• MM3Z51VB - 51.0V 200mW 2%齐纳管，SOD323F
• 2N3906 - PNP通用放大器
• 74LCX652 - 带5V容差输入和输出的低电压收发器/寄存器
• FDMF6707V - 超小型、高性能、高频DrMOS模块
• FDMA86151L - 100 V 单 N 沟道 PowerTrench MOSFET
• RHRG1560_F085 - 600 V、15 A、1.86 V、TO-247（2 引脚）超高速二极管
• 1N4739A - 9.1V、1W齐纳二极管
• FJP13007 - NPN芯片晶体管