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FDS86141技术文档下载：
FDS86141 - 100V N沟道Power Trench MOSFET
FDS86141是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDS86141是100V N沟道Power Trench MOSFET，本站介绍了FDS86141的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDS86141相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDS86141 - 100V N沟道Power Trench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDS86141 - 产品描述
该N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
FDS86141 - 产品特性
- VGS = 10 V，ID = 7 A时，最大rDS(on) = 23mΩ
- VGS = 6 V，ID = 5.5 A时，最大rDS(on) = 36 mΩ
- 薄型 - 最大1 mm，采用Power 33封装
- 100%经过UIL测试
- 符合RoHS标准
FDS86141 - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDS86141相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDS86141 | 量产-ROHS：截至2012年2月 | $0.87 |
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