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FDS89161 - 100V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET
FDS89161是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品,FDS89161是100V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET,本站介绍了FDS89161的封装应用图解、特点和优点、功能等,并给出了与FDS89161相关的Fairchild元器件型号供参考。
FDS89161 - 100V 双 N 沟道 PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体
FDS89161 - 产品描述
本N沟道MOSFET采用Fairchild先进的PowerTrench工艺制造,该工艺专为实现rDS(on)、开关性能和坚固性而进行了优化。
FDS89161 - 产品特性
- 屏蔽栅极 MOSFET 技术
- 最大 rDS(on) = 105 mΩ(VGS= 10 V、ID = 2.7 A)
- 最大 rDS(on) = 171 mΩ(VGS = 6 V、ID = 2.1 A)
- 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
- 高功率和高电流处理能力,采用广泛使用的表面贴装封装
- 100% 经过 UIL 测试
- 符合 RoHS 标准
FDS89161 - 产品应用
该产品为通用产品,适用于很多不同应用。
以下列出了FDS89161相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDS89161 | 量产-ROHS:截至2014年5月 | $0.55 |
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