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Fairchild产品 - FDT1600N10ALZ介绍

FDT1600N10ALZ - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 5.6A, 160mΩ

FDT1600N10ALZ是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDT1600N10ALZ是N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 5.6A, 160mΩ，本站介绍了FDT1600N10ALZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDT1600N10ALZ相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDT1600N10ALZ - N 沟道 PowerTrench MOSFET 100V, 5.6A, 160mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDT1600N10ALZ - 产品描述

此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

FDT1600N10ALZ - 产品特性
  • RDS(on) = 121 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V, ID = 2.8 A
  • RDS(on) = 156 mΩ (典型值)@ VGS = 5 V, ID = 1.8 A
  • 快速开关速度
  • 低栅极电荷（典型值2.9nC）
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDT1600N10ALZ - 产品应用

    • LED电视
    • 消费型设备

    以下列出了FDT1600N10ALZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDT1600N10ALZ量产-ROHS：截至2012年9月$0.2571
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