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Fairchild产品 - FDT439N介绍

FDT439N - N沟道2.5V规格增强模式场效应晶体管

FDT439N是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FDT439N是N沟道2.5V规格增强模式场效应晶体管，本站介绍了FDT439N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDT439N相关的Fairchild元器件型号供参考。

FDT439N - N沟道2.5V规格增强模式场效应晶体管 - MOSFET - FET - 仙童半导体

FDT439N - 产品描述

该N沟道增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术。这种高单元密度工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而定制的。此类产品非常适合低电压、低电流应用，例如笔记本电脑电源管理、电池供电电路和DC电机控制。

FDT439N - 产品特性
  • 6.3 A, 30 V。 RDS(on) = 0.045 Ω @ VGS = 4.5 V RDS(on) = 0.058 Ω @ VGS = 2.5 V
  • 快速开关速度
  • 采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDT439N - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDT439N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDT439N量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.88
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