FDV303N - Fairchild仙童数字FET，N沟道

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FDV303N - 数字FET，N沟道

FDV303N是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDV303N是数字FET，N沟道，本站介绍了FDV303N的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDV303N相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

FDV303N - 数字FET，N沟道 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

FDV303N - 产品描述

这些N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺专为最大限度地降低低栅极驱动条件下的通态电阻而定制。该器件特别为使用一个锂或三个镉或NMH电池的电池电路应用设计。该器件可作为一个转换器使用，或在紧凑型便携电子设备，例如无线电话和传呼器的高效微型分立DC/DC转换中使用。该器件即使在栅极驱动电压低至2.5V时仍具有出色的通态电阻。

FDV303N - 产品特性

25 V，0.68 A 连续电流，2 A 峰值。
- RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V
- RDS(ON) = 0.6 Ω @ VGS= 2.7 V
栅极驱动电平要求极低，从而可在 3 V 电路中直接运行。 VGS(th) < 1.0 V。
栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
紧凑型工业标准 SOT-23 表面贴装封装。
TN0200T 和 TN0201T 的备选方案。

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

FDV303N - 产品应用

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

以下列出了FDV303N相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格