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    Fairchild产品 - FDY1002PZ介绍
    FDY1002PZ - -20Ｖ双P沟道-1.5V额定PowerTrench MOSFET

    FDY1002PZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDY1002PZ是-20Ｖ双P沟道-1.5V额定PowerTrench MOSFET，本站介绍了FDY1002PZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDY1002PZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    FDY1002PZ - -20Ｖ双P沟道-1.5V额定PowerTrench MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）

    FDY1002PZ - 产品描述

    此双P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺设计而成，优化了DS(on)@VGS=–1.5V。

    FDY1002PZ - 产品特性
    • VGS = -4.5 V，ID = -0.83 A时，最大rDS(on) = 0.5Ω
    • VGS = –2.5 V，ID = –0.70 A时，最大rDS(on) = 0.7 Ω
    • VGS = –1.8 V，ID = –0.43 A时，最大rDS(on) = 1.2 Ω
    • VGS = –1.5 V，ID = –0.36 A时，最大rDS(on) = 1.8 Ω
    • HBM ESD保护等级 = 1400kV （注3）
    • 符合RoHS标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FDY1002PZ - 产品应用

    该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

    以下列出了FDY1002PZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FDY1002PZ量产-ROHS：截至2011年1月$0.102
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