此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。FDZ1323NZ采用飞兆先进的PowerTrench工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极N沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。此先进的WLCSPMOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。

• 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 4.5 V, IS1S2 = 1 A 时）
• 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 4 V, IS1S2 = 1 A 时）
• 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 3.8 V, IS1S2 = 1 A 时）
• 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.7 V, IS1S2 = 1 A 时）
• 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.1 V, IS1S2 = 1 A 时）
• 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.1 V, IS1S2 = 1 A 时）
• 只占用 3 mm2的 PCB 面积
• 超薄封装：安装到 PCB 时高度小于 0.35 毫米
• 高功率和高电流处理能力
• HBM 静电放电保护等级 > 3.6 kV（注3）
• 符合RoHS标准

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• 手机

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDZ1323NZ	量产-ROHS：截至2014年3月	$0.29

• FQD10N20L - N 沟道 QFET MOSFET 200V, 7.6A, 380mΩ
• MMBF4393 - N沟道开关
• FSTD16861 - 支持电平转换的20位总线开关
• FQU8P10 - N 沟道 QFET MOSFET -100V，-6.6A，530mΩ
• EGP20D - 2.0A超快速恢复整流器
• SMBJ9V0A - 600W瞬态电压抑制二极管
• FQPF13N50C - N 沟道 QFET MOSFET 500 V、13 A、480 mΩ
• FCD850N80Z - N 沟道 SuperFET II MOSFET
• FDD3N40 - N 沟道 UniFET MOSFET 400V，2A，3.4Ω
• FAN3216T - TTL 输入、双通道反相输出、3 A 峰值灌电流、3 A 源电流低端栅极驱动器