此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。FDZ1323NZ采用飞兆先进的PowerTrench工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极N沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。此先进的WLCSPMOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。

• 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 4.5 V, IS1S2 = 1 A 时）
• 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 4 V, IS1S2 = 1 A 时）
• 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 3.8 V, IS1S2 = 1 A 时）
• 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.7 V, IS1S2 = 1 A 时）
• 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.1 V, IS1S2 = 1 A 时）
• 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.1 V, IS1S2 = 1 A 时）
• 只占用 3 mm2的 PCB 面积
• 超薄封装：安装到 PCB 时高度小于 0.35 毫米
• 高功率和高电流处理能力
• HBM 静电放电保护等级 > 3.6 kV（注3）
• 符合RoHS标准

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FDZ1323NZ	量产-ROHS：截至2014年3月	$0.29

• 1V5KE22CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
• MM3Z7V5C - 7.5V 200mW 5%齐纳管，SOD323F
• MMBTA28 - NPN达林顿晶体管
• FAN5355 - 1.1A / 1A / 0.8A、3MHz数字可编程调节器
• FDMS9410_F085 - 40 V、50 A、3.7 mΩ、TO-LLN 沟道 PowerTrench
• PCG30N60A4W - 600V, 60A IGBT
• FDMS36101L_F085 - 100 V、38 A、18 mΩ、Power56N 沟道 PowerTrench
• MOCD207M - 8 引脚 SOIC 双沟道光电晶体管输出光电耦合器
• FAN3214T_F085 - 双通道 4 A 高速，低端栅极驱动器
• FDN327N - N沟道1.8Vgs额定PowerTrench MOSFET