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FDZ1323NZ - 20V 共用漏极P沟道 2.5V 额定 PowerTrench WL-CSP MOSFET
FDZ1323NZ是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDZ1323NZ是20V 共用漏极P沟道 2.5V 额定 PowerTrench WL-CSP MOSFET，本站介绍了FDZ1323NZ的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDZ1323NZ相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDZ1323NZ - 20V 共用漏极P沟道 2.5V 额定 PowerTrench WL-CSP MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDZ1323NZ - 产品描述
此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。FDZ1323NZ采用飞兆先进的PowerTrench工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极N沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了PCB空间和rS1S2(on)。此先进的WLCSPMOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rS1S2(on)融合为一体。
FDZ1323NZ - 产品特性
- 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 4.5 V, IS1S2 = 1 A 时）
- 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 4 V, IS1S2 = 1 A 时）
- 最大值 rS1S2(on) = 13 mΩ（VGS = 3.8 V, IS1S2 = 1 A 时）
- 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.7 V, IS1S2 = 1 A 时）
- 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.1 V, IS1S2 = 1 A 时）
- 最大值 rS1S2(on) = 16 mΩ（VGS = 3.1 V, IS1S2 = 1 A 时）
- 只占用 3 mm2的 PCB 面积
- 超薄封装：安装到 PCB 时高度小于 0.35 毫米
- 高功率和高电流处理能力
- HBM 静电放电保护等级 > 3.6 kV（注3）
- 符合RoHS标准
FDZ1323NZ - 产品应用
- 手机
以下列出了FDZ1323NZ相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDZ1323NZ | 量产-ROHS：截至2014年3月 | $0.29 |
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