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FDZ191P技术文档下载：
FDZ191P - -20V P沟道1.5V额定PowerTrench WL-CSP MOSFET
FDZ191P是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FDZ191P是-20V P沟道1.5V额定PowerTrench WL-CSP MOSFET，本站介绍了FDZ191P的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FDZ191P相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FDZ191P - -20V P沟道1.5V额定PowerTrench WL-CSP MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FDZ191P - 产品描述
FDZ191P的设计采用了飞兆先进的1.5VPowerTrench工艺和一流的"微间距"WLCSP封装工艺，可最大限度地减少PCB空间和rDS(on)。先进的WLCSPMOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体。.
FDZ191P - 产品特性
- 最大rDS(on) = 85mΩ （VGS = -4.5V, ID = -1A）
- 最大 rDS(on) = 123 mΩ（VGS = -2.5 V、ID = -1 A 时）
- 最大 rDS(on) = 200 mΩ（VGS = -1.5 V、ID = -1 A 时）
- 仅占1.5mm2的PCB空间，比2 x 2 BGA所占空间少50%
- 超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.65 mm
- 符合 RoHS 标准
FDZ191P - 产品应用
该产品为通用产品，适用于很多不同应用。
以下列出了FDZ191P相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FDZ191P | 量产-ROHS：截至2014年3月 | $0.225 |
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