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Fairchild产品 - FGH30T65UPDT介绍

FGH30T65UPDT - 650V，30A场截止沟道IGBT

FGH30T65UPDT是Fairchild仙童半导体公司的一款分立式 IGBT产品，FGH30T65UPDT是650V，30A场截止沟道IGBT，本站介绍了FGH30T65UPDT的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FGH30T65UPDT相关的Fairchild元器件型号供参考。

FGH30T65UPDT - 650V，30A场截止沟道IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - 仙童半导体

FGH30T65UPDT - 产品描述

飞兆半导体的新型场截止沟道IGBT系列产品采用创新型场截止沟道IGBT技术，为光伏逆变器、UPS、和数字功率产生器等低导通和开关损耗至关重要的应用提供了最佳性能。

FGH30T65UPDT - 产品特性
  • 最大结温：TJ = 175oC
  • 正温度系数，易于并联运行
  • 高电流能力
  • 低饱和电压：VCE(sat) = 1.65 V（典型值）@ IC = 30A
  • 器件100%经过ILM(2)测试
  • 高输入阻抗
  • 紧密的参数分布
  • 符合 RoHS 标准
  • 短路耐用性：> 5us @ 25oC
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FGH30T65UPDT - 产品应用
    以下列出了FGH30T65UPDT相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FGH30T65UPDT_F155量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$2.36
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