FJP2145是一个低成本、高性能的功率开关，当它在以下应用的ESBC配置中使用时可提供最佳的性能：电源、电机驱动器、智能电网或点火开关。功率开关可在高达1100V的电压和5amps的电流下工作，同时提供出色的低导通电阻和极低的开关损耗。ESBC开关使用现成的电源控制器或驱动器进行驱动。ESBCMOSFET是低电压、低成本、表面贴装器件，同时具备低输入电容和快速开关特性。由于没有米勒电容，ESBC配置可进一步最小化所需驱动电源。FJP2145因其具有方形的反向偏压安全工作区(RBSOA)和坚固的设计，因此它可提供一流的可靠性和广泛的工作范围。该器件具有雪崩额定值，并且没有寄生晶体管，因此它不易于发生静态dv/dt故障。该功率开关采用专用的高压双极工艺制造，并密封于高压TO-220封装中。

• 低等效导通电阻
• 非常快速开关： 150 kHz
• 宽 RBSOA： 高达1100V
• 雪崩额定值
• 低驱动电容，无米勒电容
• 低开关损耗
• 可靠的高压开关： 因其具有高 dv/dt 瞬变能力，可实现无误触发。

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具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FJP2145TU	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$0.364

• HGTG18N120BN - 1200 V NPT IGBT
• 1V5KE20A - 1500W瞬态电压抑制二极管
• 6N139M - 8引脚DIP单通道低输入电流高增益分离式达灵顿光电耦合器
• FDD8445 - 40V N沟道PowerTrench MOSFET
• FSCQ0565RT - 用于 60 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关
• FAN7530 - CrCM PFC 控制器
• FAN5909 - 带 LDO 辅助功能的多模式降压转换器可用于 GSM/EDGE、3G/3.5G/4G 功率放大器。
• FGB20N60SF - 600 V、20 A、2.2 V、TO-247高速场截止 IGBT
• FPF2201 - 具有500mA高精度限流的集成式负载开关
• PCCA048N65FD8 - 650 V、60 A、41 mΩ 裸片N 沟道 SuperFET II