FNF51060TD1是一款MotionSPM55模块，为交流感应、BLDC和PMSM电机提供功能齐全的高性能逆变器输出级。这些模块集成了内置IGBT经过优化的栅极驱动，能够最小化EMI和损耗，同时提供多种模块上保护功能，包括欠压闭锁、互锁功能、过流关断、驱动IC的热监控和故障上报。内置的高速HVIC仅需单电源电压即可将接收到的逻辑电平栅极输入转换为所需的高电压、高电流驱动信号，以便合理驱动模块强健的短路额定IGBT。独立负IGBT引脚适用于各相位，以支持最广泛的算法控制。

• UL 认证号 E209204 (UL1557)
• 600 V - 10 A 三相 IGBT 逆变器，包括进行栅极驱动和保护的控制 IC
• 低功耗、额定短路 IGBT
• 内置于 HVIC 中的自举二极管
• 低侧 IGBT 的独立发射极开路引脚用于三相电流检测
• 高电平有效接口，适用于 3.3/5 V 逻辑、施密特触发输入
• HVIC，用于栅极驱动、欠压和短路电流保护
• 故障输出，用于欠压和短路电流保护
• 互锁功能，防止短路
• 关断输入
• HVIC 内嵌温度感测功能，用于监控温度
• 优化实现 15 - 20 kHz 开关频率
• 绝缘等级：1500 Vrms/分

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• 运动控制-家用设备/工业电机

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FNF51060TD1	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	不适用

• BAR43S - 肖特基二极管
• FSA1257 - Low R Low Voltage Dual-SPST Analog Switch with Low I A Option
• FQP14N30 - N 沟道 QFET MOSFET 300V，14.4A，290mΩ
• FAN54047 - 支持电源路径和 2.3 A 生产测试的 USB-OTG、1.55 A 锂离子开关充电器
• FDB3652 - N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 61A, 16mΩ
• MC78L05A - 三端0.1A正压稳压器
• FDS86252 - 150V N沟道Power Trench MOSFET
• 1V5KE33CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
• FDMS3602S - 25 V非对称双N沟道PowerTrench功率级MOSFET
• BDX54C - PNP外延硅晶体管