FQA24N50 - N 沟道 QFET MOSFET 500 V，24 A，200 mΩ

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因素校正和半桥电子灯整流器。

• 24 A、500 V、RDS(on) = 200 mΩ（最大值）（VGS = 10 V、ID = 12 A）
• 低栅极电荷（典型值 90 nC)
• 低 Crss（典型值 55 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

• SMCJ15CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
• BC860 - PNP外延硅晶体管
• NC7SV02 - TinyLogic ULP-A 2输入NOR门
• 1N457 - 高电导、低泄漏二极管
• FSBH0270NY_F116 - 用于 16 W 离线反激式转换器的 700 V 集成电源开关，100 kHz，提供通电/欠压保护
• BZX85C4V3 - 4.3V、1W齐纳二极管
• SS32 - 3.0A肖特基势垒整流器
• FODM121 - 4引脚全间距MFP光电晶体管输出光电耦合器
• FQD5N15 - N 沟道 QFET MOSFET 150 V、4.3 A、800 mΩ
• FDMA86551L - 60V 单 N 沟道 PowerTrench MOSFET