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Fairchild产品 - FQA38N30介绍

FQA38N30 - N 沟道 QFET MOSFET 300 V，38.4 A，85 mΩ

FQA38N30是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQA38N30是N 沟道 QFET MOSFET 300 V，38.4 A，85 mΩ，本站介绍了FQA38N30的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQA38N30相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQA38N30 - N 沟道 QFET MOSFET 300 V，38.4 A，85 mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQA38N30 - 产品描述
不推荐新设计使用截至2013年12月13日

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因素校正和半桥电子灯整流器。

FQA38N30 - 产品特性
  • 38.4 A、300 V、RDS(on) = 85 mΩ（最大值）（VGS = 10 V、ID = 19.2 A）
  • 低栅极电荷（典型值 90 nC)
  • 低 Crss（典型值 70 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQA38N30 - 产品应用
    以下列出了FQA38N30相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQA38N30不推荐新设计使用截至2013年12月13日符合RoHS标准截至2006年2月27日FDA38N30
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