FQA38N30 - N 沟道 QFET MOSFET 300 V，38.4 A，85 mΩ

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因素校正和半桥电子灯整流器。

• 38.4 A、300 V、RDS(on) = 85 mΩ（最大值）（VGS = 10 V、ID = 19.2 A）
• 低栅极电荷（典型值 90 nC)
• 低 Crss（典型值 70 pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 符合 RoHS 标准

• HMHA2801A - 4 引脚半节距微型扁平光电晶体耦合器
• MM74HC74A - 带预设和清零功能的双通道D型触发器
• KA7500C - 高达 300 kHz 的 PWM 控制器可编程频率
• FAN6751MR - 用于 65 KHz 反激式转换器的绿色模式 PWM 控制器
• FSL126MR - 频率为 67 kHz 且具有可调电流限制的 650 V 集成电源开关，用于 17 W 离线反激式转换器
• FCP11N60N - N 沟道 SupreMOS MOSFET 600V, 10.8A, 299mΩ
• SMCJ130A - 1500W瞬态电压抑制二极管
• FXLP34 - 单位单向转换器
• NC7SV05 - TinyLogic ULP-A反相器（漏极开路输出）
• FSUSB46 - 高速USB2.0 (480Mbps) DPST开关，带专用充电器端口检测