Fairchild（仙童半导体）| Fairchild产品型号搜索
FQA38N30技术文档下载：
FQA38N30 - N 沟道 QFET MOSFET 300 V，38.4 A，85 mΩ
FQA38N30是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQA38N30是N 沟道 QFET MOSFET 300 V，38.4 A，85 mΩ，本站介绍了FQA38N30的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQA38N30相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQA38N30 - N 沟道 QFET MOSFET 300 V，38.4 A，85 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQA38N30 - 产品描述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因素校正和半桥电子灯整流器。
FQA38N30 - 产品特性
- 38.4 A、300 V、RDS(on) = 85 mΩ（最大值）（VGS = 10 V、ID = 19.2 A）
- 低栅极电荷（典型值 90 nC)
- 低 Crss（典型值 70 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 符合 RoHS 标准
FQA38N30 - 产品应用
以下列出了FQA38N30相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQA38N30 | 不推荐新设计使用截至2013年12月13日符合RoHS标准截至2006年2月27日 | FDA38N30 |
下面可能是您感兴趣的仙童半导体公司MOSFET元器件
Fairchild公司产品现货专家，订购仙童公司产品不限最低起订量，仙童半导体产品大陆现货即时发货，香港库存3-5天发货，海外库存7-10天发货
寻找全球Fairchild仙童代理商现货货源 - Fairchild公司（仙童半导体）电子元件在线订购