该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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• 90A, 80V, RDS(on) = 16mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 45A栅极电荷低（典型值：84nC)
• 低 Crss（典型值200pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 175°C最大结温额定值"

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• 发电和配电

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FQA90N08	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$2.23

• FQPF10N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600 V、9.5 A、730 mΩ
• FQU5P20 - P 沟道 QFET MOSFET -200 V、-3.7 A、1.4Ω
• H11N1M - 6引脚DIP低输入电流施密特触发器输出光电耦合器
• FDMC7680 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• FDMS7660 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• KA7912A - 三端 1 A 负压稳压器
• FQL40N50F - N 沟道 QFET MOSFET 500V，40A，110mΩ
• KSA1010 - PNP外延硅晶体管
• NC7WP00 - TinyLogic ULP 双通道双输入 NAND 门
• BZX84C3V6 - 3.6V、0.35W齐纳二极管