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Fairchild产品 - FQB11P06介绍

FQB11P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-11.4A，175mΩ

FQB11P06是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQB11P06是P 沟道 QFET MOSFET -60V，-11.4A，175mΩ，本站介绍了FQB11P06的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQB11P06相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQB11P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-11.4A，175mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQB11P06 - 产品描述

该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

FQB11P06 - 产品特性
  • "
  • -11.4A, -60V, RDS(on) =175mΩ（最大值）@VGS = -10 V, ID = -5.7A
  • 低栅极电荷（典型值13nC）
  • 低 Crss（典型值45pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 175°C最大结温额定值"
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQB11P06 - 产品应用

    • 传动系

    以下列出了FQB11P06相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQB11P06TM量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.7426
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