该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

• 31A, 200V, RDS(on) = 75mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 15.5A栅极电荷低（典型值：55nC)
• 低 Crss（典型值52pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 低电平栅极驱动要求允许直接从逻辑驱动器进行操作
• 符合 RoHS 标准

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• 其他工业

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FQB34N20LTM	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.66

• FDP032N08B - N 沟道 PowerTrench MOSFET 80 V、211 A、3.3 mΩ
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