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Fairchild产品 - FQB34P10TM_F085介绍

FQB34P10TM_F085 - -100 V、-33.5 A、60 mΩ、D2PAK P 沟道 QFET

FQB34P10TM_F085是Fairchild仙童半导体公司的一款车用P沟道MOSFET产品，FQB34P10TM_F085是-100 V、-33.5 A、60 mΩ、D2PAK P 沟道 QFET，本站介绍了FQB34P10TM_F085的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQB34P10TM_F085相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQB34P10TM_F085 - -100 V、-33.5 A、60 mΩ、D2PAK P 沟道 QFET - 车用P沟道MOSFET - 车用分立功率器件 - 仙童半导体

FQB34P10TM_F085 - 产品描述

这些P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。

FQB34P10TM_F085 - 产品特性
  • -33.5 A、-100 V、RDS(on) = 0.06Ω (VGS = -10 V)
  • 低栅极电荷（典型值85 nC）
  • 低Crss（典型值170pF）
  • 快速开关
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 175°C最大结温额定值
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQB34P10TM_F085 - 产品应用

    • 传动系

    以下列出了FQB34P10TM_F085相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQB34P10TM_F085量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.43
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