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FQB47P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-47A，26mΩ
FQB47P06是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQB47P06是P 沟道 QFET MOSFET -60V，-47A，26mΩ，本站介绍了FQB47P06的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQB47P06相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQB47P06 - P 沟道 QFET MOSFET -60V，-47A，26mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQB47P06 - 产品描述
该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
FQB47P06 - 产品特性
- "
- -47A, -60V, RDS(on) = 26mΩ（最大值）@VGS = -10 V, ID = -23.5A栅极电荷低（典型值：84nC)
- 低 Crss（典型值320pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 175°C最大结温额定值"
FQB47P06 - 产品应用
- 其他数据处理
以下列出了FQB47P06相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQB47P06TM_AM002 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $1.69 |
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