该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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• 50A，60V，RDS(on) = 22mΩ（最大值）（VGS = 10 V且ID = 25A 时）
• 低栅极电荷（典型值 31nC)
• 低 Crss（典型值 65pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 175°C最大结温额定值"

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• 其他工业

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FQB50N06TM	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$0.8854

• FQPF9N90C - N 沟道 QFETMOSFET 200V，3A，1.4Ω
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