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Fairchild产品 - FQB8N90CTM介绍

FQB8N90CTM - N 沟道 QFET MOSFET

FQB8N90CTM是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQB8N90CTM是N 沟道 QFET MOSFET，本站介绍了FQB8N90CTM的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQB8N90CTM相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQB8N90CTM - N 沟道 QFET MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQB8N90CTM - 产品描述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源。

FQB8N90CTM - 产品特性
  • 6.3 A，900 V，RDS(on) = 1.9 Ω（最大值），条件是 VGS = 10 V
  • 低栅极电荷（典型值35 nC)
  • 低Crss（典型值12 pF)
  • 快速开关
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQB8N90CTM - 产品应用
    以下列出了FQB8N90CTM相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQB8N90CTM量产-ROHS：截至2014年5月$1.38
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