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Fairchild产品 - FQD4P40介绍

FQD4P40 - P 沟道 QFET MOSFET -400 V、-2.7 A、3.1 Ω

FQD4P40是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQD4P40是P 沟道 QFET MOSFET -400 V、-2.7 A、3.1 Ω，本站介绍了FQD4P40的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQD4P40相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQD4P40 - P 沟道 QFET MOSFET -400 V、-2.7 A、3.1 Ω - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQD4P40 - 产品描述

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合基于互补半桥的电子灯镇流器。

FQD4P40 - 产品特性
  • -2.7 A、-400 V、RDS(on) = 3.1 Ω（最大值）@ VGS = -10 V、ID = -1.35 A
  • 低栅极电荷（典型值 18 nC)
  • 低 Crss（典型值 11 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQD4P40 - 产品应用
    以下列出了FQD4P40相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQD4P40TM量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$5.66
    FQD4P40TM_AM002量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$5.66
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