该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

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• 48A, 100V, RDS(on) = 39mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 24A栅极电荷低（典型值：48nC)
• 低 Crss（典型值85pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 175°C最大结温额定值"

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• 其他工业

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FQH44N10_F133	量产-ROHS：截至2013年8月	$1.49

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