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Fairchild产品 - FQH8N100C介绍

FQH8N100C - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、8.0 A、1.45 Ω

FQH8N100C是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQH8N100C是N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、8.0 A、1.45 Ω，本站介绍了FQH8N100C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQH8N100C相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQH8N100C - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、8.0 A、1.45 Ω - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQH8N100C - 产品描述

该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

FQH8N100C - 产品特性
  • 8A，1000V，RDS(on) = 1.45Ω ,VGS = 10 V
  • 低栅极电荷（典型值53nC）
  • 低Crss（典型值16pF）
  • 快速开关
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 符合 RoHS 标准
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQH8N100C - 产品应用

    • 其他工业

    以下列出了FQH8N100C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQH8N100C量产-ROHS：截至2013年8月$2.32
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