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Fairchild产品 - FQI4N80介绍

FQI4N80 - 800V N沟道QFET

FQI4N80是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQI4N80是800V N沟道QFET，本站介绍了FQI4N80的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQI4N80相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQI4N80 - 800V N沟道QFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQI4N80 - 产品描述

该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

FQI4N80 - 产品特性
  • 3.9A，800V，RDS(on) = 3.6Ω（最大值）（VGS = 10 V 且 ID = 2.75A 时）
  • 低栅极电荷（典型值 19nC)
  • 低 Crss（典型值 8.6pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQI4N80 - 产品应用

    • 其他工业

    以下列出了FQI4N80相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQI4N80TU量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.9425
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