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Fairchild产品 - FQP10N20C介绍

FQP10N20C - N 沟道 QFET MOSFET 200V，9.5A，360mΩ

FQP10N20C是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQP10N20C是N 沟道 QFET MOSFET 200V，9.5A，360mΩ，本站介绍了FQP10N20C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQP10N20C相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQP10N20C - N 沟道 QFET MOSFET 200V，9.5A，360mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQP10N20C - 产品描述

该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

FQP10N20C - 产品特性
  • 9.5A，200V，RDS(on) = 0.36Ω@VGS = 10V
  • 低栅极电荷（典型值20 nC）
  • 低Crss（典型值40.5pF）
  • 快速开关
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQP10N20C - 产品应用

    • 其他音频与视频

    以下列出了FQP10N20C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    PCFQ10N20CW量产（特殊订单）-ROHS不适用
    FQP10N20C量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.4856
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