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Fairchild产品 - FQP12P10介绍

FQP12P10 - P 沟道 QFET MOSFET -100 V、-11.5 A、290 mΩ

FQP12P10是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQP12P10是P 沟道 QFET MOSFET -100 V、-11.5 A、290 mΩ，本站介绍了FQP12P10的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQP12P10相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQP12P10 - P 沟道 QFET MOSFET -100 V、-11.5 A、290 mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQP12P10 - 产品描述

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。

FQP12P10 - 产品特性
  • -11.5 A、-100 V、RDS(on) = 290 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V、ID = -5.75 A
  • 低栅极电荷（典型值 21 nC)
  • 低 Crss（典型值 65 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 175℃ 最大结温额定值
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQP12P10 - 产品应用
    以下列出了FQP12P10相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQP12P10量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.5398
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