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FQP12P10 - P 沟道 QFET MOSFET -100 V、-11.5 A、290 mΩ
FQP12P10是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQP12P10是P 沟道 QFET MOSFET -100 V、-11.5 A、290 mΩ，本站介绍了FQP12P10的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQP12P10相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQP12P10 - P 沟道 QFET MOSFET -100 V、-11.5 A、290 mΩ - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQP12P10 - 产品描述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合音频放大器、高效开关DC/DC转换器以及DC电机控制等低压应用。
FQP12P10 - 产品特性
- -11.5 A、-100 V、RDS(on) = 290 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V、ID = -5.75 A
- 低栅极电荷（典型值 21 nC)
- 低 Crss（典型值 65 pF)
- 100% 经过雪崩击穿测试
- 175℃ 最大结温额定值
FQP12P10 - 产品应用
以下列出了FQP12P10相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQP12P10 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $0.5398 |
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