该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）及照明灯电子镇流器。

• 25.5A, 250V, RDS(on) = 110mΩ（最大值）@VGS = 10 V, ID = 12.75A栅极电荷低（典型值：50nC)
• 低 Crss（典型值45pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• 其他音频与视频

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FQP27N25	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.35

• KSA1182 - PNP外延硅晶体管
• FAN23SV56 - 6 A、24 V 高效 PoL 调节器
• FQPF8N80C - N 沟道 QFET MOSFET 800V, 8A, 1.55Ω
• US2KA - 超快速表面贴装整流器
• FSA8108 - 支持调高/调低音量和发送/结束按键的音频插孔检测和配置开关
• FDMS3602S - 25 V非对称双N沟道PowerTrench功率级MOSFET
• FQPF2N70 - N 沟道 QFET MOSFET 700V, 2.0A, 6.3Ω
• FGB3236_F085 - 360 V、27 A、1.32 V、320 mJ、TO-262EcoSPARK II、N 沟道点火 IGBT
• FSBH0270A - 用于 16 W 离线反激式转换器的 700 V 集成电源开关，100 kHz，提供通电/欠压保护
• BSS138K - 50V N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管