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Fairchild产品 - FQP3N50C介绍

FQP3N50C - N 沟道 QFET MOSFET

FQP3N50C是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQP3N50C是N 沟道 QFET MOSFET，本站介绍了FQP3N50C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQP3N50C相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQP3N50C - N 沟道 QFET MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQP3N50C - 产品描述

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。

FQP3N50C - 产品特性
  • 3 A，500 V，RDS(on) = 2.5 Ω（最大值），条件是 VGS = 10 V
  • 低栅极电荷（典型值10 nC)
  • 低 Crss（典型值8.5 pF)
  • 快速开关
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQP3N50C - 产品应用
    以下列出了FQP3N50C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQP3N50C_F080量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.5427
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