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FQP6N60C - 600V N沟道QFET C系列
FQP6N60C是Fairchild公司的一款MOSFET产品，FQP6N60C是600V N沟道QFET C系列，本站介绍了FQP6N60C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQP6N60C相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
FQP6N60C - 600V N沟道QFET C系列 - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
FQP6N60C - 产品描述
这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大程度地降低导通阻抗，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。
FQP6N60C - 产品特性
- 5.5 A，600 V，RDS(on) = 2.0Ω @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷（典型值16 nC）
- 低Crss（典型值7 pF）
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 可提高dv/dt处理能力
FQP6N60C - 产品应用
- 照明
以下列出了FQP6N60C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| FQP6N60C | 不推荐新设计使用截至2013年12月13日符合RoHS标准截至2006年2月27日 | FDP5N50NZ |
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