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Fairchild产品 - FQP8N60C介绍

FQP8N60C - N 沟道 QFET MOSFET

FQP8N60C是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQP8N60C是N 沟道 QFET MOSFET，本站介绍了FQP8N60C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQP8N60C相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQP8N60C - N 沟道 QFET MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQP8N60C - 产品描述
不推荐新设计使用截至2013年12月13日

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合于高效率的开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑结构的电子灯镇流器。

FQP8N60C - 产品特性
  • 7.5 A，600 V，RDS(on) = 1.2 Ω（最大值），需 VGS = 10 V、ID = 3.75 A
  • 低栅极电荷（典型值 28 nC）
  • 低 Crss（典型值 12 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQP8N60C - 产品应用
    以下列出了FQP8N60C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQP8N60C不推荐新设计使用截至2013年12月13日符合RoHS标准截至2006年2月27日FDP7N60NZ
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