FQPF9N50C - N 沟道 QFET MOSFET 500 V、9 A、800 mΩ

FQPF9N50C是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQPF9N50C是N 沟道 QFET MOSFET 500 V、9 A、800 mΩ，本站介绍了FQPF9N50C的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQPF9N50C相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQPF9N50C - N 沟道 QFET MOSFET 500 V、9 A、800 mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQPF9N50C - 产品描述

不推荐新设计使用截至2013年10月30日

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩击穿和换相情况下承受高能量脉冲而开发的。这些器件非常适合高效开关电源、功率因数校正和半桥拓扑的电子灯整流器。

FQPF9N50C - 产品特性

9 A、500 V、RDS(on) = 800 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 4.5 A
低栅极电荷（典型值 28 nC)
低 Crss（典型值 24 pF)
100% 经过雪崩击穿测试

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

FQPF9N50C - 产品应用

以下列出了FQPF9N50C相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FQPF9N50C	不推荐新设计使用截至2013年10月30日符合RoHS标准截至2006年2月27日	FDPF8N50NZ

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