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Fairchild产品 - FQPF9P25YDTU介绍

FQPF9P25YDTU - P 沟道 QFET MOSFET -250 V, -6 A, 620 mΩ

FQPF9P25YDTU是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQPF9P25YDTU是P 沟道 QFET MOSFET -250 V, -6 A, 620 mΩ，本站介绍了FQPF9P25YDTU的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQPF9P25YDTU相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQPF9P25YDTU - P 沟道 QFET MOSFET -250 V, -6 A, 620 mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQPF9P25YDTU - 产品描述

该P沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

FQPF9P25YDTU - 产品特性
  • -6 A, -250 V, RDS(on) = 620 mΩ（最大值）@ VGS = -10 V, ID = -3 A
  • 低栅极电荷（典型值 29 nC)
  • 低 Crss（典型值 27 pF）
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQPF9P25YDTU - 产品应用
    以下列出了FQPF9P25YDTU相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQPF9P25YDTU量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$1.08
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