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Fairchild产品 - FQU2N50B介绍

FQU2N50B - N 沟道 QFET MOSFET

FQU2N50B是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，FQU2N50B是N 沟道 QFET MOSFET，本站介绍了FQU2N50B的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与FQU2N50B相关的Fairchild元器件型号供参考。

FQU2N50B - N 沟道 QFET MOSFET - MOSFET - FET - 仙童半导体

FQU2N50B - 产品描述

该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。

FQU2N50B - 产品特性
  • 1.6 A、500 V、RDS(on) = 5.3 Ω（最大值）@ VGS = 10 V、ID = 0.8 A
  • 低栅极电荷（典型值 6.0 nC)
  • 低 Crss（典型值 4.3 pF)
  • 快速开关
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • FQU2N50B - 产品应用
    以下列出了FQU2N50B相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    FQU2N50BTU_WS量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.377
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