逆向偏压是日益频繁的故障事件，它可能由用户错误、电池的安装错误、车用环境、与第三方充电器的错误连接、负电压“热插拔”瞬变、电感瞬变以及随时可用的负偏压红色USB充电器产生。

通过飞兆电路保护，您完全可以生产出全新的逆向偏压保护器件。FR器件是低电阻系列开关，它会在出现逆向偏压时，关闭电源，阻断负压，从而帮助您保护下游电路。

FR器件是为提供同类最佳的逆向偏压保护和电压处理能力的应用而优化的，同时它可最大限度地减小尺寸、串联压降和通用操作功耗。

在逆向偏压应用中，FR015L3EZ器件可以有效地提供完整电压模块，并可以轻松地保护-0.3V额定电压硅片。

从功率角度而言，在正常偏压中，0.1A应用中的15mΩFR器件仅产生1.5mV的压降或0.15mW的功率损耗。在逆向偏压中，FR器件在3V的逆向偏压情况下，其功耗不到10μW。这种性能是二极管解决方案所无法实现的。

该器件所提供的优势不仅限于此。由于该器件具有很低的功耗，因此其体积更紧凑，并且散热要求和成本也最低。

• 最高-20V的逆向偏压保护
• 纳秒级的反向偏压阻断响应时间
• +12V的24小时“耐受”率
• 15mΩ典型串联电阻（3.0V时）
• 18mΩ典型串联电阻（2.1V时）
• 集成TVS过压抑制
• MicorFET2x2mm封装尺寸
• 符合RoHS标准
• 兼容USB VBUS

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FR015L3EZ	量产-ROHS：截至2012年8月	$0.159

• FDC642P_F085 - -20 V、-4 A、65 mΩ、SSOT-6P 沟道 PowerTrench
• FDS8870 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• FESD05P30ZL - 5 V，30 pF 单向 ESD 保护器
• KSH210 - PNP外延硅晶体管
• FAN1100_F085 - 点火模块驱动 IC
• FSEZ1317A - 带有集成式 MOSFET 的初级端调节 PWM 控制器，具有提高的 EMI 性能
• MMBD1403 - 高电压通用二极管
• FSBS5CH60 - Motion SPM 3 系列
• MM3Z18VB - 18.0V 200mW 2%齐纳管，SOD323F
• GBU8B - 8 A 桥式整流器