FSAM20SM60A - Motion SPM 2 系列

FSAM20SM60A是飞兆半导体开发的MotionSPM2系列产品，为低功率应用（如空调）中的交流电机驱动提供非常紧凑且高性能的逆变器解决方案。它结合了优化后的电路保护功能及与低损耗IGBT相匹配的驱动功能。通过增进的电流感测IGBT实现有效的过流保护内置热敏电阻和集成欠压闭锁保护进一步增强了系统的可靠性。此外，一体化HVIC更便于使用单电源电压，且无任何负偏压。三个独立负直流端子可实现逆变器支路电流感测。

• 通过 UL 第 E209204 号认证
• 600 V-20 A 三相 IGBT 逆变桥（包含用于栅极驱动和保护的控制 IC）
• 三个独立负直流链路端子，可实现逆变器电流感测应用
• 内置 HVIC 可实现单接地电源供电
• 典型的开关频率为 5 kHz
• 内置热敏电阻可实现温度监测
• 逆变器的额定功率为 1.5 kW/100~253 VAC
• 隔离额定值为 2500 Vrms/分钟
• 采用陶瓷基板实现非常低的热电阻
• 通过 sense-IGBT 改变串联电阻值可调整电流保护水平

• 运动控制-家用设备/工业电机

• FAN6749 - 用于 65 KHz 反激式转换器的绿色模式 PWM 控制器，提供 2-级过流保护
• FCH190N65F - N 沟道 SuperFET II FRFET MOSFET
• FSV12100V - 12 A、100 V 超低 VF 肖特基整流器
• FCB20N60 - N 沟道 SuperFET MOSFET 600V, 20A, 190mΩ
• FDBL0240N100 - N-Channel PowerTrench MOSFET
• FGH60N60SFD - 600V，60A，场截止IGBT
• FAN7346 - 4通道 用于照明的LED电流控制IC
• FDP032N08B - N 沟道 PowerTrench MOSFET 80 V、211 A、3.3 mΩ
• FDP12N60NZ - N 沟道 UniFET II MOSFET 600V, 12A, 650mΩ
• FPF2104 - 全功能负载开关