FSDM0465RE - 用于 48 W 离线反激式转换器的 650 V 集成电源开关

FSDM0465RE、FSDM0565RE和FSDM07652RE集成脉宽调制器(PWM)和SenseFET，专门设计用于外部元件最少的高性能离线开关电源(SMPS)。此器件是一款集成式高压功率开关调节器，合并了耐雪崩SenseFET和电流模式脉宽调制(PWM)控制模块。PWM控制器包括集成式固定频率振荡器、闭锁(UVLO)、前沿消隐(LEB)、优化的栅极驱动器、内部软启动、用于环路补偿的温度补偿精密电流源和自保护电路。与分立式MOSFET和PWM控制器解决方案相比，它能够降低总成本、元件数量、尺寸和重量，同时提高效率、生产力和系统可靠性。此器件为经济高效的反激式转换器设计提供了最佳的基础平台。

• 内部耐雪崩 Sense FET
• 先进间歇模式操作在 240VAC和 0.5 W 负载时的功耗为 1 W
• 精确的固定工作频率 (66kHz)
• 内部启动电路
• 改善的逐脉冲限流
• 过压保护 (OVP)
• 过载保护 (OLP)
• 内部热关断功能 (TSD)
• 自动重启模式
• 带有滞回功能的闭锁 (UVLO)
• 低工作电流 (2.5 mA)
• 内置软启动<B>应用</B>
• 适用于液晶显示器和机顶盒的开关电源
• 适配器

• FDS4675 - 40V P沟道PowerTrench MOSFET
• FJP5027 - NPN芯片晶体管
• FCB20N60F - N 沟道 SuperFET FRFET MOSFET 600V, 20A, 190mΩ
• FJN3301R - 外延硅晶体管
• FQAF13N80 - N 沟道 QFET MOSFET 800V, 8A, 750mΩ
• D45H2A - PNP功率放大器
• SMBJ7V0A - 600W瞬态电压抑制二极管
• FCP260N60E - 600 V、15 A、260 mΩ、N 沟道 SuperFET II Easy-Drive MOSFET
• FQU2N100 - N 沟道 QFET MOSFET 1000 V、1.6 A、9 Ω
• GBU8M - 1000V/6A桥式整流器