FSFR1800 - 用于 260 W 半桥式谐振转换器的集成电源开关 (FPS)

FSFR系列包括高度集成的电源开关，专为高效率半桥谐振转换器而设计。该系列具有构建可靠而鲁棒的半桥谐振转换器所需的一切特性，可以简化设计、提高生产力、改进性能。FSFR系列将PowerMOSFET与快速恢复型体二极管、高侧栅极驱动电路、精确电流控制的振荡器、频率限制电路、软启动和内置保护功能整合在一起。高侧栅极驱动电路具有共模噪声消除能力，通过卓越的抗噪能力确保运行稳定。MOSFET的快速恢复体二极管可以提高异常工作条件下的可靠性，同时又能将反向恢复的影响降至最低。使用零电压开关(ZVS)技术可显著降低开关损耗并提高效率。ZVS还可显著降低开关噪声，允许使用小尺寸的电磁干扰(EMI)滤波器。

FSFR系列可用于各种谐振转换器拓扑，如串联谐振、并联谐振以及LLC谐振转换器。

• 为半桥谐振转换器拓扑提供了 50% 占空比的变频控制
• 通过零电压开关 (ZVS) 实现高效率
• 采用快速恢复类型体二极管的内部 UniFET (trr<160 ns)
• 为 MOSFET 优化的固定死区 (350 ns)
• 工作频率最高可达 300 kHz
• 在轻载条件下用于频率限制（可编程）的脉冲跳跃
• 使用控制引脚的远程开/关控制
• 保护功能：过压保护 (OVP)、过载保护 (OLP)、过流保护 (OCP)、异常过流保护 (AOCP)、内部热关断 (TSD)

• 74LCX16841 - 带5V容差输入和输出的低电压20-位双向收发器
• FDB9409_F085 - 车用 N 沟道 MOSFET 40 V, 80 A, 3.5 mΩ
• FNA22512A - 1200 V Motion SPM 2 系列
• FDMF6820C - 超小型、高性能、高频DrMOS模块
• SMCJ120A - 1500W瞬态电压抑制二极管
• DF02S1 - 桥式整流器
• FCPF16N60NT - N 沟道 SupreMOSMOSFET 600V, 16A, 199mΩ
• BD137 - NPN外延硅晶体管
• 1N4757A - 51V、1W齐纳二极管
• SG6859A - 用于反激式转换器的绿色模式 PWM 控制器，可编程频率为 50 KHz ~ 80 KHz