FSFR1800 - 用于 260 W 半桥式谐振转换器的集成电源开关 (FPS)

FSFR系列包括高度集成的电源开关，专为高效率半桥谐振转换器而设计。该系列具有构建可靠而鲁棒的半桥谐振转换器所需的一切特性，可以简化设计、提高生产力、改进性能。FSFR系列将PowerMOSFET与快速恢复型体二极管、高侧栅极驱动电路、精确电流控制的振荡器、频率限制电路、软启动和内置保护功能整合在一起。高侧栅极驱动电路具有共模噪声消除能力，通过卓越的抗噪能力确保运行稳定。MOSFET的快速恢复体二极管可以提高异常工作条件下的可靠性，同时又能将反向恢复的影响降至最低。使用零电压开关(ZVS)技术可显著降低开关损耗并提高效率。ZVS还可显著降低开关噪声，允许使用小尺寸的电磁干扰(EMI)滤波器。

FSFR系列可用于各种谐振转换器拓扑，如串联谐振、并联谐振以及LLC谐振转换器。

• 为半桥谐振转换器拓扑提供了 50% 占空比的变频控制
• 通过零电压开关 (ZVS) 实现高效率
• 采用快速恢复类型体二极管的内部 UniFET (trr<160 ns)
• 为 MOSFET 优化的固定死区 (350 ns)
• 工作频率最高可达 300 kHz
• 在轻载条件下用于频率限制（可编程）的脉冲跳跃
• 使用控制引脚的远程开/关控制
• 保护功能：过压保护 (OVP)、过载保护 (OLP)、过流保护 (OCP)、异常过流保护 (AOCP)、内部热关断 (TSD)

• FQA13N80_F109 - N 沟道 QFET MOSFET 800V, 12.6A, 750mΩ
• NZT6714 - NPN通用放大器
• S310 - 3.0A肖特基势垒整流器
• J211 - N 沟道 RF 放大器
• FQPF9P25 - P 沟道 QFET MOSFET -250 V、-6 A、620 mΩ
• MM74HC32 - 四通道2输入OR门
• MB4S - 0.5A整流桥
• FCD4N60 - N 沟道 SuperFET MOSFET 600V, 3.9A, 1.2Ω
• BZX84C10 - 10V、0.35W齐纳二极管
• HGTG12N60A4D - 600V, SMPS IGBT