FSL106MR集成脉宽调制解调器(PWM)和SenseFET，专为采用最少外部元件的高性能离线式开关电源(SMPS)而设计。FSL106MR包括集成式高压电源开关调节器，这些调节器将耐雪崩的SenseFET与电流模式的PWM控制模块完美结合。集成的PWM控制器特性包括：提供欠压锁定(UVLO)保护、前沿消隐(LEB)、实现EMI衰减的频率生成器、优化的栅极开/关驱动器、热关断(TSD)保护以及用于环路补偿和故障保护电路的温度补偿精确电流源。FSL106MR提供了出色的软启动性能。与分立式MOSFET和控制器或RCC开关转换器解决方案相比，FSL106MR减少了总的组件数量、设计大小和重量；同时提高了效率、生产力和系统的可靠性。该器件为经济高效的反激式转换器设计提供了一个最佳的基础平台。

• 内部雪崩耐用 SenseFET：650V
• 在265VAC、空载条件并处于突发模式时，待机功耗低于50mW
• 精确的固定工作频率，可提供频率调节来实现EMI衰减
• 内部启动电路
• 内置软启动：15ms
• 逐脉冲限流
• 提供各种保护：过压保护(OVP)、过载保护(OLP)、输出短路保护(OSP)、异常过流保护(AOCP)和带滞回的内部热关断功能(TSD)
• 自动重启模式
• 欠压闭锁(UVLO)
• 低工作电流：1.8mA
• 可调节峰值限流

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• 智能电网
• 智能电表
• 运动控制-家用设备
• 运动控制-工业电机

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FSL106MR	量产-ROHS：截至2015年10月	$0.417

• 1N4741A - 11V、1W齐纳二极管
• BZX79C6V8 - 6.8V、0.5W齐纳二极管
• SMBJ45CA - 600W瞬态电压抑制二极管
• FDMA86251 - 150 V 单 N 沟道 PowerTrench MOSFET
• USB1T11A - 通用串行总线收发器
• NC7SBU3157 - 低压SPDT模拟开关，带2V欠冲保护
• FDMC3612 - 100V N沟道Power Trench MOSFET
• RURG5060_F085 - 600 V、50 A、1.28 V、TO-247（2 引脚）超快速二极管
• P6KE24A - 600W瞬态电压抑制二极管
• 1V5KE400A - 1500W瞬态电压抑制二极管