FSL176MRT是集成式脉宽调制(PWM)控制器和SenseFET，专门设计用于外部组件最少的离线开关电源(SMPS)。PWM控制器包括集成式固定频率振荡器、欠压锁定(UVLO)、前沿消隐(LEB)、优化的栅极驱动器、内部软启动、用于环路补偿的温度补偿精密电流源和自保护电路。与离散式MOSFET和PWM控制器解决方案相比，FSL176MRT可在降低总成本、组件数、尺寸以及重量的同时提高效率、生产率和系统可靠性。该器件提供了一个基本的平台，适合设计高性价比的反激式转换器。

• 低待机功率和低声频噪声的高级软间歇模式运行
• 电磁干扰小的随机频率波动
• 逐脉冲限流
• 各种保护功能：过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、异常过流保护(AOCP)、带滞后的内部热关断(TSD)、输出短路保护(OSP)和带滞后的欠压锁定(UVLO)
• 间歇模式下具有低工作电流(0.4mA)
• 内部启动电路
• 内部高压SenseFET：650V
• 内置软启动：15ms
• 自动重启模式

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

• DVD/机顶盒
• 工业级电机
• 消费型设备
• 运动控制-家用设备

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
FSL176MRTUDTU	量产-ROHS：截至2012年4月	$0.972

• SGH10N60RUFD - 600V，10A，短路额定 IGBT
• MM5Z24V - 齐纳二极管
• MM3Z12VB - 12.0V 200mW 2%齐纳管，SOD323F
• FAN3122C - CMOS 输入、单通道同相输出、11.4 A 峰值灌电流、10.6 A 源电流低端栅极驱动器
• 1N5819 - 肖特基势垒整流器
• FDMA86151L - 100 V 单 N 沟道 PowerTrench MOSFET
• MMBTH11 - NPN RF晶体管
• FQP5N60C - N 沟道 QFET MOSFET 600V, 4.5A, 2.5Ω
• MBR1020VL - 表面贴装肖特基功率整流器
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