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Fairchild产品 - HGTD1N120BNS介绍

HGTD1N120BNS - 1200V, NPT IGBT

HGTD1N120BNS是Fairchild仙童半导体公司的一款分立式 IGBT产品，HGTD1N120BNS是1200V, NPT IGBT，本站介绍了HGTD1N120BNS的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HGTD1N120BNS相关的Fairchild元器件型号供参考。

HGTD1N120BNS - 1200V, NPT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - 仙童半导体

HGTD1N120BNS - 产品描述

HGTD1N120BNS9A基于非穿通(NPT)IGBT设计。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用，如UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

HGTD1N120BNS - 产品特性
  • 2.7 A，1200 V，需 TC = 110°C
  • 低饱和电压：VCE(sat) = 2.5 V，需 IC = 1.0 A
  • 典型下降时间...................TJ = 150°C时为258ns
  • 短路额定值
  • 低传导损耗
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • HGTD1N120BNS - 产品应用

    • 不间断电源

    以下列出了HGTD1N120BNS相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    HGTD1N120BNS9A量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$0.4332
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