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Fairchild产品 - HGTG18N120BND介绍

HGTG18N120BND - 1200V, NPT IGBT

HGTG18N120BND是Fairchild仙童半导体公司的一款分立式 IGBT产品，HGTG18N120BND是1200V, NPT IGBT，本站介绍了HGTG18N120BND的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HGTG18N120BND相关的Fairchild元器件型号供参考。

HGTG18N120BND - 1200V, NPT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - 仙童半导体

HGTG18N120BND - 产品描述

HGTG18N120BND基于非穿通(NPT)IGBT设计。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用，如UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

HGTG18N120BND - 产品特性
  • 26A, 1200V, TC = 110°C
  • 低饱和电压： VCE(sat) = 2.45V @ IC = 18A
  • 典型下降时间。 . . . . . . . . . . . . . . 140ns @ TJ = 150°C
  • 短路额定值
  • 低导通损耗
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • HGTG18N120BND - 产品应用

    • 不间断电源
    • 其他工业

    以下列出了HGTG18N120BND相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    HGTG18N120BND量产符合RoHS标准截至2006年2月27日$4.62
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