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HGTG30N60B3D - 600V, PT IGBT
HGTG30N60B3D是Fairchild公司的一款分立式 IGBT产品，HGTG30N60B3D是600V, PT IGBT，本站介绍了HGTG30N60B3D的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HGTG30N60B3D相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
HGTG30N60B3D - 600V, PT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - Fairchild（仙童半导体）
HGTG30N60B3D - 产品描述
HGTG30N60B3是一款MOS门控高压开关器件，它充分融合了MOSFET和双极晶体管的最佳功能。该器件具有MOSFET的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。低得多的导通压降仅在25°C到150°C之间适度变化。使用的IGBT是开发类型TA49170。反向并联IGBT使用的二极管是开发类型TA49053。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用，如：AC和DC电机控制，电磁阀、继电器和接触器的电源和驱动器。以前的开发类型为TA49172。
HGTG30N60B3D - 产品特性
- 60A, 600V, TC = 25°C
- 600 V 开关 SOA 能力
- 典型下降时间： TJ=150°C 时为 90 ns
- 短路额定值
- 低导通损耗
- 超快反向并联二极管
HGTG30N60B3D - 产品应用
- 其他工业
以下列出了HGTG30N60B3D相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| HGTG30N60B3D | 不推荐新设计使用截至2009年12月07日-ROHS：截至2013年8月 | FGA30N65SMDHGTG30N60B3D |
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