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    Fairchild产品 - HGTP10N120BN介绍
    HGTP10N120BN - 1200 V NPT IGBT

    HGTP10N120BN是Fairchild公司的一款分立式 IGBT产品，HGTP10N120BN是1200 V NPT IGBT，本站介绍了HGTP10N120BN的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HGTP10N120BN相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。

    HGTP10N120BN - 1200 V NPT IGBT - 分立式 IGBT - IGBT - Fairchild（仙童半导体）

    HGTP10N120BN - 产品描述
    不推荐新设计使用截至2013年12月19日

    HGTP10N120BN基于非穿通(NPT)IGBT设计。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用，如：UPS、光伏逆变器、电机控制以及电源。

    HGTP10N120BN - 产品特性
    • 17A, 1200V, TC = 110°C
    • 低饱和电压：VCE(sat) = 2.45 V，需 IC = 10 A
    • 典型下降时间。. . . . . . . . TJ= 150°C时为0.140ns
    • 短路额定值
    • 低传导损耗
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • HGTP10N120BN - 产品应用

    • 不间断电源

    以下列出了HGTP10N120BN相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    HGTP10N120BN不推荐新设计使用截至2013年12月19日符合RoHS标准截至2006年2月27日FGH15T120SMD_F155
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