HGTP20N60A4 - 600V, SMPS IGBT

HGTP20N60A4结合最佳的MOSFET高输入阻抗特性和双极型晶体管的低通态传导损耗特性。该IGBT非常适合许多工作频率很高，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用。该设备已被优化来实现快速开关应用，比如UPS和焊机。

• 40A, 600V @ TC = 110°C
• 低饱和电压：V CE(sat) = 1.8 V，需 I C = 20 A
• 典型下降时间............TJ = 125°C时为55ns
• 低传导损耗

• 其他工业

• 74AC541 - 八路缓冲器/线路驱动器（带3态输出）
• FQD13N06L - N 沟道 QFET MOSFET 60V，11A，115mΩ
• FSQ0365RN - 包含谷底开关控制的 650 V 集成电源开关，用于 19 W 离线反激式转换器
• DF08S1 - 桥式整流器
• MMBFJ211 - N 沟道 RF 放大器
• 1N5235B - 6.8V、0.5W齐纳二极管
• FQPF4N90C - N 沟道 QFET MOSFET 900V, 4A, 4.2Ω
• FNA41560B2 - Motion SPM 45 系列
• FSBH0F70A_F116 - 用于 8 W 离线反激式转换器的 700 V 集成电源开关，100 kHz，提供通电/欠压保护
• HUF75639S3 - 100 V、56 A、25 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET