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HUF75339P3 - 55 V、75 A、12 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET
HUF75339P3是Fairchild公司的一款MOSFET产品，HUF75339P3是55 V、75 A、12 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET，本站介绍了HUF75339P3的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与HUF75339P3相关的Fairchild仙童半导体元器件型号供参考。
HUF75339P3 - 55 V、75 A、12 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET - MOSFET - FET - Fairchild（仙童半导体）
HUF75339P3 - 产品描述
这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。以前的开发类型为TA75339。
HUF75339P3 - 产品特性
- 75 A、55 V
- 仿真模型 - 温度补偿式 PSPICE 和 SABER模型
- 访问以下网址，获取 SPICE 和 SABER 热阻抗模型： www.fairchildsemi.com
- 峰值电流与脉宽曲线
- UIS额定值曲线
- 相关文献
- TB334"PC板焊接表面贴装组件的指南"
HUF75339P3 - 产品应用
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- 工作站
- 服务器和大型机
以下列出了HUF75339P3相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
| 具体产品型号 | 生产状况及ROHS标准 | 仙童官网订购价格(美元) |
| HUF75339P3 | 量产符合RoHS标准截至2006年2月27日 | $1.38 |
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