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Fairchild产品 - IRLM120A介绍

IRLM120A - N 沟道 A-FET 200 V、1.13 A、800 mΩ

IRLM120A是Fairchild仙童半导体公司的一款MOSFET产品，IRLM120A是N 沟道 A-FET 200 V、1.13 A、800 mΩ，本站介绍了IRLM120A的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与IRLM120A相关的Fairchild元器件型号供参考。

IRLM120A - N 沟道 A-FET 200 V、1.13 A、800 mΩ - MOSFET - FET - 仙童半导体

IRLM120A - 产品描述
不推荐新设计使用截至2005年1月12日

IRLM120A - 产品特性
  • 雪崩耐用技术
  • 坚固的门栅氧化层技术与较低的输入电容
  • 增加的栅极电荷
  • 增加安全工作区域范围
  • 更低的漏电流： 10 μA（最大值）@ VDS = 200 V
  • 更低的 RDS(ON)： 0.609 Ω（典型值）
  • 以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档
    • IRLM120A - 产品应用
    以下列出了IRLM120A相关的具体订购型号、生产状况、ROHS标准及仙童官网订购价格
    具体产品型号生产状况及ROHS标准仙童官网订购价格(美元)
    IRLM120ATF不推荐新设计使用截至2005年1月12日符合RoHS标准截至2006年2月27日
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