NC7SP05是具有漏极开路输出的单通道反相器，属于飞兆TinyLogic中的超低功耗(TinyLogic)系列。适用于电池使用寿命至关重要的应用，此产品专为0.9V至3.6VVCC的VCC工作范围内的超低功耗而设计。内部电路由最小量的反相器层级组成（包括输出缓冲器），以实现超低静态和动态功率。NC7SP05（适合于较低的驱动需求）设计独特，可优化功率和速度，而且是采用先进的CMOS技术制造，以实现同类最佳的高速操作，同时保持极低的CMOS功耗。

• 0.9V至3.6V VCC电源操作范围
• VCC为0.9 V至3.6 V时，耐过压I/O为3.6 V
• tPD3.0 ns典型值，3.0V至3.6V VCC4.0 ns典型值，2.3V至2.7V VCC5.0 ns典型值，1.65V至1.95V VCC6.0 ns典型值，1.40V至1.60V VCC9.0 ns典型值，1.10V至1.30V VCC24.0 ns典型值，0.90V VCC
• 断电高阻抗输入和输出
• 静态驱动(IOH/IOL)3.00V VCC时±2.6 mA、2.30V VCC时，±2.1 mA、1.65V VCC时±1.5 mA、1.40V VCC±1.0 mA、1.10V VCC时±0.5 mA、0.9V VCC时±20 μA
• 使用专有Quiet Series 噪声/电磁干扰(EMI)消减电路
• 超小型MicroPak 无引线封装
• 超低动态功率

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NC7SP05L6X	量产-ROHS：截至2010年4月	$0.134
NC7SP05P5X	量产-ROHS：截至2010年12月	$0.051

• FDMC7680 - 30V N沟道PowerTrench MOSFET
• P6KE250CA - 600W瞬态电压抑制二极管
• SS22 - 2.0A肖特基势垒整流器
• FDPF041N06BL1 - N 沟道 PowerTrench MOSFET 60 V, 77 A, 4.1 mΩ
• FQU3N50C - N 沟道 QFET MOSFET 250V, 3A, 1.75Ω
• FCH077N65F_F085 - 650 V、54 A、68 mΩ、TO-247N-Channel SuperFET II
• MOC211M - 8 引脚 SOIC 单通道光电晶体管输出光电耦合器
• FDY102PZ - -20Ｖ单P沟道(-1.5V)额定PowerTrench MOSFET
• FGH75T65SHD - 650 V, 75 A 场截止沟道 IGBT
• FDMS8090 - 100V 非对称双 N 沟道 MOSFET PowerTrench 功率级