这些逻辑电平N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。

• 26 A，60 V。 RDS(ON) = 0.05Ω @ VGS= 5 V，RDS(ON) = 0.035Ω @ VGS= 10 V。
• 在高温下额定的临界DC电气参数。
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
• 175°C最大结温额定值。
• 采用高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
• TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。

以上特性由Fairchild(仙童半导体)提供，了解更多介绍请在本站下载技术文档

该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NDB5060L	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$1.46

• MMBTA42 - NPN高电压放大器
• RS1GFA - 0.8 A、400 V 表面贴装快速恢复
• FAN2110 - - 10 A、24 V 输入，集成同步降压调节器
• PZTA28 - NPN达林顿晶体管
• NC7SZ373 - TinyLogic UHS D型闩锁（带3态输出）
• MM74HCU04 - 六路反相器
• FCH099N60E - N 沟道 SuperFET II Easy-Drive MOSFET
• FAN7601B - 用于反激式转换器的绿色模式 PWM 控制器，可编程频率高达 300 KHz
• BZX79C47 - 齐纳二极管
• TIP41B - NPN外延硅晶体管