这些逻辑电平P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越的开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。这些器件特别适合需要快速开关、低线路内功率损耗以及抗瞬变能力的汽车、DC/DC转换器、PWM电机控制和其他电池供电电路等低电压应用。

• -24 A，-20 V。 RDS(ON) = 0.05 Ω @ VGS= -4.5 V，RDS(ON) = 0.07 Ω @ VGS= -2.7 V，RDS(ON) = 0.075 Ω @ VGS= -2.5 V。
• 在高温下额定的临界DC电气参数。
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
• 175°C最大结温额定值。
• 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)。
• TO-220和TO-263 (D2PAK)封装，适用于通孔和表面贴装应用。

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该产品为通用产品，适用于很多不同应用。

具体产品型号	生产状况及ROHS标准	仙童官网订购价格(美元)
NDB6020P	量产符合RoHS标准截至2006年2月27日	$0.77

• FDMS86320 - N沟道PowerTrench MOSFET，80V，22A，11.7mΩ
• 1V5KE18CA - 1500W瞬态电压抑制二极管
• 1N5235B - 6.8V、0.5W齐纳二极管
• FDG6321C - 双N&P沟道数字FET
• 74VHCT00A - 四路2输入NAND门
• MMBF5103 - N沟道低频低噪声放大器
• FDMT800150DC - N 沟道 Dual Cool88 PowerTrench MOSFET 150 V、99 A、6.5 mΩ
• FSV1060V - 10 A，60 V 超低 VF 肖特基整流器
• FQPF5N40 - N 沟道 QFET MOSFET 400V, 3.0A, 1.6Ω
• FSB147H - 用于 26 W 离线反激式转换器的 700 V 集成电源开关，100 kHz，提供通电/欠压保护